本论文合成了两种聚噻吩次甲基低能带隙聚合物，研究它们分别同PCBM及MEH-PPV构成本体异质结器件的性能。
从图17可以看出，PTBBQ在可见光区的最大吸收峰位于480nm（PTNBQ为485nm），归因于π-π* 的带隙转变吸收。吸收边延伸到725nm，即光带隙为1.71，属于低能带隙聚合物（一般来说Eg<1.8，可认为是低能带隙聚合物）。而PTNBQ由文献知为1.79。两者相差不大，都属于低能带隙聚合物。PTBBQ的PL强度较弱，最大发射峰位于575nm。比较吸收峰与发射峰可发现，有个显著的特点，就是两峰的重合区域较大，也就是PTBBQ的发射基本上都被吸收了。
下图18给出了PTNBQ，PCBM和两者复合物的吸收光谱。图19给出了PTBBQ，PCBM和两者复合物的吸收光谱。从两图中可以看出，PCBM的吸收在紫外区有一强吸收峰位于343nm，在可见区420-500nm及550-720nm处又有两较小的峰出现。PTNBQ与PCBM复合物在336nm处的吸收以及PTBBQ与PCBM复合物在338nm处的吸收均来源于PCBM的吸收。复合物在可见区的吸收是两者吸收的简单叠加，说明两个组份复合后，在基态没有相互作用。
由于PTNBQ和PTBBQ的荧光本身比较弱，再加上PCBM几乎没有荧光，故两复合物的荧光几乎测不出来。虽然不能明显地看出存在荧光的淬灭，但可通过下面的光伏性能分析证明在PTNBQ与PCBM及PTBBQ与PCBM之间存在着光诱导的电子转移。
图20和图21分别给出了PTNBQ+PCBM(1/4,w/w) 和PTBBQ+PCBM(1/4,w/w)两光伏器件的暗处和光照（78.2mW/cm2, AM1.5）时的I－V表征。具体的光伏参数值见表1。从图20可以看出，PTNBQ与PCBM光伏器件有非常小的整流率为87.3（在±2V处），说明该复合物所形成的薄膜质量较差，主要是PTNBQ的分子量较小的缘故。在器件制备过程中，活性层的厚度仅有50nm，所得到的能量转换效率为0.023%。相对应的PTBBQ与PCBM器件（见图21），厚度可达85nm，不仅可以说明PTBBQ比PTNBQ有较大的分子量，成膜质量也比后者好，进而有较大的整流率（1501，±2V）；而且也可以吸收较多的光，进而得到较高的能量转换效率，达到0.055%。PCBM单层器件在同样的测试条件下的Is

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