以十六烷基三甲基溴化铵为改性剂，在反应时间为4 h、转速250 r/min的条件下，MMT的层间距随改性温度的变化曲线见图4。由图4可以看出，80℃以下，随着温度的上升，层间距增大；80℃以上，随温度上升，层间距减小。这是因为温度较低时，改性剂分子链活性低，不容易扩散进入蒙脱土的层间，温度升高，链的活性增大，运动速度加快，更多的改性剂与蒙脱土层间的金属阳离子交换，增大了层间距。温度进一步提高，则不利于插层剂阳离子与蒙脱土片层上的负电荷达到静电平衡，吸附到层间的改性剂容易解离出来，造成层间距的减小。在60-100℃ 的温度范围中，温度对层间距的影响不大，在具体实验过程中，可以把温度设定为77-83℃ ，便于实验操作；在工业生产中，如果对蒙脱土的层间距要求不严格，采用60℃的改性温度，可以制得较大层间距的有机蒙脱土。图6 和图7 分别为有机蒙脱土和聚丙烯酰胺/蒙脱土纳米复合材料的X射线衍射图。从图7上已经检测不到蒙脱土固有峰的存在，由图6和图7我们可以看出聚丙烯酰胺/蒙脱土纳米复合材料出现衍射峰比有机蒙脱土要早，用布拉格(Bragg)方程：2dsinθ=λ，得出复合材料的层间距大于有机化的蒙脱土，这说明聚丙烯酰胺大分子已经进如蒙脱土片层结构中，聚丙烯酰胺/蒙脱土纳米复合材料已经成功被制备。
图8 为聚丙烯酰胺/蒙脱土纳米复合材料的透射电镜图，通过观察图8 我们得到了进一步的验证，蒙脱土的结构受到了破坏，在丙烯酰胺单体的
用插层聚合的方法制备的聚丙烯酰胺/有机蒙脱土纳米复合材料，从有机化蒙脱土使硅酸盐片层之间层间距扩大，运用插层聚合的原理，通过引发剂的作用，使无机物和有机物实现复合，成功将蒙脱土有机化，并成功制备了聚丙烯酰胺/有机蒙脱土纳米复合材料，基本达到预期的目的。
1）十六烷基三甲基溴化铵和蒙脱土中的钠离子发生了离子交换反应，撑开了蒙脱土的片层使得层间距增加，引入了有机基团，这样有利于聚丙烯酰胺大分子的进人。
2）通过实验得到最有利于蒙脱土层间距打开的反应条件为：温度70-90℃，反应时间为4小时，搅拌速率为300转/分。
3）利用上述得出的反应条件成功制备了有机化的蒙脱土，并利用插层聚合的原理成功制备了聚丙烯酰胺/有机蒙脱土纳米复合材料。并对该纳米材料做了初步的研究。
4）在膜制备的方法上做了一定的尝试，但是


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