
纳米羟基磷灰石的制备及其在DNA生物传感中的应用研究
作品编号:SWHX0017 开发环境: WORD全文:20页 论文字数:8200字 此纳米羟基磷灰石的制备及其在DNA生物传感中的应用研究毕业设计完整版包含[开题报告,论文,答辩稿] |
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1.3 毕业论文的设计方案及思路
本文根据羟基磷灰石良好的生物相容性和生物活性及其在DNA分离中的应用,将其作为一种新型的核酸固定载体和电传导体应用于核酸电化学传感检测中。本课题主要研究羟基磷灰石对单链DNA(ssDNA)或双链DNA(dsDNA)的选择性吸附作用能力的不同,然后将羟基磷灰石修饰电极作为核酸传感器对转基因植物产品的基因片段进行检测,优化检测条件。
图2-7为对ssDNA/HAP/GC和dsDNA/HAP/GC进行洗脱后的磷酸液进行UV-Vis扫描的结果。为了保证洗脱后下的DNA具有相同的吸光系数,我们将dsDNA溶液进行变性处理得到其ssDNA的对应物。由图可知, 两支电极的洗脱液在270 nm附近都有特征吸收峰,该峰较dsDNA在260 nm的特征峰有所红移可归属于dsDNA的变性。ssDNA/HAP/GC洗脱后得到的溶液吸光度明显大于dsDNA/HAP/GC洗脱溶液的吸光度,这就验证了上述结果,即磷酸缓冲溶液能将ssDNA从HAP/GC电极上很好的洗脱下来,而很大部分dsDNA仍能保留在HAP修饰电极上。2.3 DNA传感检测
上述实验表明,得到的羟基磷灰石修饰电极能将dsDNA特异性地吸附在电极表面,从而达到对dsDNA和ssDNA的识别。然而,因为HAP上带有许多-OH基团,可能会吸附一部分正电荷的Co(phen)33+/2+,得到较大的背景电流,如图2-4c所示。但是,Co(phen)33+/2+与-OH之间这种静电作用要远远小于其与dsDNA之间的嵌插作用力,且嵌插作用受离子强度影响相对较小。若将饱和富集了Co(phen)33+/2+的各种修饰电极置于离子强度较高的缓冲液中,Co(phen)33+/2+能从HAP/GC或经洗脱后含有少量ssDNA的HAP/GC电极上脱落下来,而Co(phen)33+/2+仍能通过嵌插作用结合在dsDNA/HAP/GC上,这样就能达到对固定的dsDNA进行检测的目的。
图2-8A和图2-8B分别为将饱和富集了Co(phen)33+/2+的HAP/GC、ssDNA/HAP/GC和dsDNA/HAP/GC电极置于100 mmol/L KCl中浸泡20 min后放入5 mmol/LKCl中进行测定的循环伏安图和微分脉冲伏安图。由图可知,dsDNA/HAP/GC电极上仍能得到一对明显的氧化还原峰,对应于Co(phen)33+/2+在电极表面的电化学过程。而在HAP/GC和ssDNA/HAP/GC电极上几乎未观测到任何电化学信号,表明Co(phen)33+/2+在高离子强度条件下已经完全被解吸下来。这样采用dsDNA/HAP/GC电极上得到的电化学信号作为dsDNA分析检测目标就完全消除了在HAP/GC和ssDNA/HAP/GC电极上得到的背景干扰电流,大大提高了检测的信噪比和检测的准确性。
2.5结论
在本实验中,以Ca(OH)2和H3PO4为原料通过溶液法合成了纳米级羟基磷灰石(HAP),将该无机材料分散于聚乙烯醇水溶液形成均匀溶胶-凝胶涂层于玻璃碳(GC)电极表面得到羟基磷灰石修饰电极
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本文根据羟基磷灰石良好的生物相容性和生物活性及其在DNA分离中的应用,将其作为一种新型的核酸固定载体和电传导体应用于核酸电化学传感检测中。本课题主要研究羟基磷灰石对单链DNA(ssDNA)或双链DNA(dsDNA)的选择性吸附作用能力的不同,然后将羟基磷灰石修饰电极作为核酸传感器对转基因植物产品的基因片段进行检测,优化检测条件。
图2-7为对ssDNA/HAP/GC和dsDNA/HAP/GC进行洗脱后的磷酸液进行UV-Vis扫描的结果。为了保证洗脱后下的DNA具有相同的吸光系数,我们将dsDNA溶液进行变性处理得到其ssDNA的对应物。由图可知, 两支电极的洗脱液在270 nm附近都有特征吸收峰,该峰较dsDNA在260 nm的特征峰有所红移可归属于dsDNA的变性。ssDNA/HAP/GC洗脱后得到的溶液吸光度明显大于dsDNA/HAP/GC洗脱溶液的吸光度,这就验证了上述结果,即磷酸缓冲溶液能将ssDNA从HAP/GC电极上很好的洗脱下来,而很大部分dsDNA仍能保留在HAP修饰电极上。2.3 DNA传感检测
上述实验表明,得到的羟基磷灰石修饰电极能将dsDNA特异性地吸附在电极表面,从而达到对dsDNA和ssDNA的识别。然而,因为HAP上带有许多-OH基团,可能会吸附一部分正电荷的Co(phen)33+/2+,得到较大的背景电流,如图2-4c所示。但是,Co(phen)33+/2+与-OH之间这种静电作用要远远小于其与dsDNA之间的嵌插作用力,且嵌插作用受离子强度影响相对较小。若将饱和富集了Co(phen)33+/2+的各种修饰电极置于离子强度较高的缓冲液中,Co(phen)33+/2+能从HAP/GC或经洗脱后含有少量ssDNA的HAP/GC电极上脱落下来,而Co(phen)33+/2+仍能通过嵌插作用结合在dsDNA/HAP/GC上,这样就能达到对固定的dsDNA进行检测的目的。
图2-8A和图2-8B分别为将饱和富集了Co(phen)33+/2+的HAP/GC、ssDNA/HAP/GC和dsDNA/HAP/GC电极置于100 mmol/L KCl中浸泡20 min后放入5 mmol/LKCl中进行测定的循环伏安图和微分脉冲伏安图。由图可知,dsDNA/HAP/GC电极上仍能得到一对明显的氧化还原峰,对应于Co(phen)33+/2+在电极表面的电化学过程。而在HAP/GC和ssDNA/HAP/GC电极上几乎未观测到任何电化学信号,表明Co(phen)33+/2+在高离子强度条件下已经完全被解吸下来。这样采用dsDNA/HAP/GC电极上得到的电化学信号作为dsDNA分析检测目标就完全消除了在HAP/GC和ssDNA/HAP/GC电极上得到的背景干扰电流,大大提高了检测的信噪比和检测的准确性。
2.5结论
在本实验中,以Ca(OH)2和H3PO4为原料通过溶液法合成了纳米级羟基磷灰石(HAP),将该无机材料分散于聚乙烯醇水溶液形成均匀溶胶-凝胶涂层于玻璃碳(GC)电极表面得到羟基磷灰石修饰电极
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